IRF530 N Kanal MOSFET 100 V TO-220

IRF530, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan N kanal MOSFET’tir. Uygun sürücü ve koruma devreleriyle motor kontrolü, güç dönüştürücü ve elektronik yük tasarımlarında kullanılabilir.

Teknik özellikler

• Kanal türü: N.

• Kılıf: TO-220.

• Drain-source gerilim üst sınırı: 100 V.

• Referans sürekli drain akımı: 14 A; kasa 25 °C ve VGS 10 V koşulunda.

• Gate-source mutlak sınırı: ±20 V.

• Referans RDS(on) üst değeri: 0,16 Ω; VGS 10 V, ID 8,4 A koşulunda.

• Bacaklar: 1 gate, 2 drain, 3 source.

• Metal arka yüz: drain bağlantılı.

Gate sürüşü ve kullanım

IRF530, düşük gate geriliminde tam iletimi garanti edilen logic-level MOSFET değildir. Gate eşik gerilimi, yüksek yük akımını düşük kayıpla anahtarlama gerilimi olarak kullanılmamalıdır.

Arduino veya benzeri bir kartla güç kontrolü yapılacaksa uygun gate sürücüsü kullanılmalıdır. Gate-source arasına kapalı durumu belirleyen direnç, gate hattına uygun seri direnç ve endüktif yükte koruma elemanları eklenmelidir.

14 A değeri soğutucusuz çalışma garantisi değildir. Akım, kayıp güç, sıcaklık ve güvenli çalışma alanı birlikte değerlendirilmelidir.