IRF630, N kanal yapılı güç MOSFET’idir. Uygun sürücüyle anahtarlamalı güç devrelerinde, dönüştürücülerde ve elektronik kontrol uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik özellikler
• Kılıf: TO-220.
• Drain-source mutlak gerilim sınırı: 200 V.
• Referans sürekli drain akımı: 9 A; kasa 25 °C koşulunda.
• Gate-source mutlak gerilim sınırı: ±20 V.
• Referans RDS(on) üst değeri: 0,40 Ω; VGS 10 V ve ID 4,5 A koşulunda.
• Bacak dizilimi: 1 gate, 2 drain, 3 source.
• Metal arka yüz: drain.
Gate sürüşü ve kullanım
200 V değeri normal çalışma gerilimi hedefi değildir. Anahtarlama darbeleri ve tasarım payı dikkate alınarak daha düşük çalışma gerilimi seçilmelidir.
Gate eşik gerilimi, tam iletim için yeterli sürüş gerilimi anlamına gelmez. Mikrodenetleyiciyle kullanımda uygun MOSFET sürücüsü ve gate’in boşta kalmasını önleyen bağlantı gerekir.
İletim kaybı akımın karesiyle artar; sıcaklık yükseldikçe kanal direnci de artabilir. Soğutma hesabı yapılmadan yalnızca 9 A akım değerine göre yük seçilmemelidir. Endüktif yüklerin oluşturduğu gerilim darbeleri uygun diyot veya sönümleme devresiyle sınırlandırılmalıdır.
